柔性無機電子器件由于其優異的電子性能和熱穩定性，在能量轉換、航空航天和可穿戴設備等領域表現出獨特的優勢。高性能柔性無機電子器件的產業化需要在可接受的溫度下，采用通用的方法在聚合物襯底上制備無機晶體。在此，我們首先開發了渦流化學氣相沉積（VFCVD）技術，于450°C低溫下，用于在柔性石墨烯-聚酰亞胺（G-PI）導電膜上合成高質量的垂直ReO
2陣列。Euler方程表明，在相同的條件下，ReO
2的蒸汽壓幾乎比VFCVD的自由空間的蒸汽壓高100倍。推導出的ReS
2/ReO
2金屬-半導體異質結陣列具有突出的析氫反應（HER）活性，作為能量轉換裝置具有高的長期穩定性。這項工作為利用VFCVD在聚合物襯底上低溫生長無機納米材料，實現高性能柔性能源器件的工業化提供了機會。
Figure 1. （a）G-PI上的垂直ReO
2陣列的SEM圖；（b）垂直ReS
2 /ReO
2異質結陣列的SEM圖；（c）G-PI上的ReS
2花的SEM圖；（d）β-ReO
2晶體的X射線衍射圖譜；（e）幾種納米結構材料的拉曼光譜；（f）生長的ReO
2納米顆粒、ReS
2花和垂直的ReS
2/ReO
2異質結陣列的Re元素和S元素的XPS光譜。
Figure 2. TEM圖、HRTEM圖和SAED分析：（a-d）β-相ReO
2支柱，（e-h）在ReS
2/ReO
2異質結外部外延的ReS
2納米薄片，（i-l）分層的ReS
2/ReO
2異質結界面的。（m-n）單個ReO
2納米柱和單個ReS
2/ReO
2異質結的ADF-STEM和元素映射圖像。注意：m和n中所有ADF-HAADF圖像和元素映射圖像的比例尺均為100 nm
Figure 3. 在0.5 M H
2SO
4中的電催化HER活性。（a）ReS
2/ReO
2異質結的HER；（b）通過DFT計算，接觸前后ReS
2/ReO
2異質結的能帶排列和功函數；（c）掃描速率為2 mV/s時ReO
2、ReS
2和ReS
2/ReO
2的LSV曲線；（d）掃描速率為2 mV/s時具有不同生長時間的ReS
2/ReO
2的LSV曲線；（e）比較10 mA/cm
2下的過電勢和tafel斜率；（f）對應于（b）中樣品的Tafel圖；（g）用于估計ECSA的C
dl；（h）各種樣品的電化學阻抗譜，插圖是等效電路。
相關研究成果于2020年由西南大學化學與化學工程學院Yimin Jiang課題組發表在Applied Catalysis B: Environmental（DOI: 10.1016/j.apcatb.2020.118924）。原文：Low-temperature growth of Three dimensional ReS
2/ReO
2 metalsemiconductor heterojunctions on Graphene/polyimide film for enhanced hydrogen evolution reaction。
摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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