BiVO4的低載流子遷移率是限制其在塊體中和表面上電荷轉移的瓶頸。 這里，還原氧化石墨烯（rGO）納米片作為有效的電子媒介，成功負載在BiVO4上，而后將NiFe層狀氫氧化物（NiFe-LDH）修飾在BiVO4/rGO異質結上，這是通過兩步電沉積方法實現(xiàn)的。所構建的BiVO4 / rGO / NiFe-LDH三元光陽極顯示出增強的光電化學（PEC）分解水效率。 該光電陽極大大延長了可見光的吸收區(qū)域，增加了光電流密度，并且起始電位顯著地向陰極偏移，最終增強光子-電子轉換效率（IPCE）。PEC性質的增強受益于rGO和BiVO4之間形成了p-n異質結，且NiFe-LDH作為助催化劑加速了析氧動力學。
Figure 1. BiVO4/rGO/NiFe-LDH光陽極的合成示意圖。
Figure 2. 該工作中合成樣品的SEM圖：（a）BiVO4，（b）BiVO4/rGO，（c）BiVO4/rGO/NiFe-LDH（0.05C），（d）EDS譜。
Figure 3.（a）BiVO4，BiVO4/rGO，BiVO4/rGO/NiFe-LDH（0.05C）光陽極的XRD圖，（b）GO, rGO, BiVO4, BiVO4/rGO的Raman譜。
Figure 4. （a）BiVO4和 BiVO4/rGO的光電流密度，（b）BiVO4/rGO/NiFe-LDH在不同LDH沉積量下的光電流密度，（c）不同光陽極的起始電位，（d）不同光陽極的光電流密度。
Figure 5. BiVO4，BiVO4/rGO，BiVO4/rGO/NiFe-LDH（0.05C）光陽極的Mott-Schottky曲線。
Figure 6. （a）BiVO4，BiVO4/rGO，BiVO4/rGO/NiFe-LDH（0.05C）光陽極的電化學阻抗譜，（b）三元光陽極在光照下的IMPS圖。
該研究工作由廣西大學的孫建華研究團隊于2019年發(fā)表在Dalton Transactions期刊上。原文：An integrating photoanode consisting of BiVO4, rGO and LDH for photoelectrochemical water splitting（DOI: 10.1039/C9DT01819K）
